封装:
TO-3-3(2)
TO-220-3(2)
SOT-227-4(1)
TO-252(1)
TO-247(1)
TO-247-3(2)
TO-263-3(1)
多选
包装:
Tube(7)
(2)
Tape & Reel (TR)(1)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-247-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247
    5782
    10-99
    11.9640
    100-499
    11.3658
    500-999
    10.9670
    1000-1999
    10.9471
    2000-4999
    10.8673
    5000-7499
    10.7676
    7500-9999
    10.6878
    ≥10000
    10.6480
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-263-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    7969
    10-99
    9.3480
    100-499
    8.8806
    500-999
    8.5690
    1000-1999
    8.5534
    2000-4999
    8.4911
    5000-7499
    8.4132
    7500-9999
    8.3509
    ≥10000
    8.3197
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-247-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-3
    6430
    1-9
    54.4486
    10-99
    51.3245
    100-249
    49.0037
    250-499
    48.6467
    500-999
    48.2897
    1000-2499
    47.8880
    2500-4999
    47.5310
    ≥5000
    47.3078
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-247
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    4536
    5-49
    27.9513
    50-199
    26.7568
    200-499
    26.0879
    500-999
    25.9207
    1000-2499
    25.7534
    2500-4999
    25.5623
    5000-7499
    25.4429
    ≥7500
    25.3234
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-252
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    N沟道6A - 600V DPAK非常快的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
    7786
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    SOT-227-4
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD 单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
    1060
    1-9
    238.3605
    10-49
    232.1424
    50-99
    227.3752
    100-199
    225.7170
    200-499
    224.4734
    500-999
    222.8153
    1000-1999
    221.7789
    ≥2000
    220.7426
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-220-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    STGF7H60DF 管装
    7192
    10-99
    7.4160
    100-499
    7.0452
    500-999
    6.7980
    1000-1999
    6.7856
    2000-4999
    6.7362
    5000-7499
    6.6744
    7500-9999
    6.6250
    ≥10000
    6.6002
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-220-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
    5762
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-3-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    4095
    1-9
    248.6990
    10-49
    242.2112
    50-99
    237.2372
    100-199
    235.5071
    200-499
    234.2096
    500-999
    232.4795
    1000-1999
    231.3982
    ≥2000
    230.3169
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TO-3-3
    品类: IGBT晶体管
    描述:
    IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    5149
    5-49
    21.7269
    50-199
    20.7984
    200-499
    20.2784
    500-999
    20.1485
    1000-2499
    20.0185
    2500-4999
    19.8699
    5000-7499
    19.7771
    ≥7500
    19.6842

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